近日，济南大学前沿交叉科学研究院教授刘宏的朋友圈更新了这样一条信息：经过近一年的攻关，几十炉的摸索，德辉和他的小伙伴们终于掌握了完美的8英寸铌酸锂晶体生长技术。助力大尺寸铌酸锂薄膜制备、推动光集成光电集成器件的发展。路很长，但所有人都信心十足……这一信息引来了无数点赞。

  铌酸锂晶体材料因其具有优异的电光、声光和非线性光学效应，被广泛认定是新一代信息产业关键技术的核心材料。前不久，济南大学教授刘宏、孙德辉团队利用提拉法成功生长出直径8英寸（200mm）X-轴铌酸锂单晶，这是该团队继2021年突破声学芯片用Z轴、128Y等方向8英寸铌酸锂晶体生长技术后，铌酸锂晶体生长技术获得的又一次重要突破。